0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Număr parc | SSM6J212FE,LF | Producător | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descriere | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | Condiții libere de stare / stare RoHS | Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS |
| cantitate valabila | 364223 pcs | Fișa cu date | 1.SSM6J212FE,LF.pdf2.SSM6J212FE,LF.pdf |
| Vgs (a) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tehnologie | MOSFET (Metal Oxide) | Pachetul dispozitivului furnizor | ES6 |
| Serie | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Distrugerea puterii (Max) | 500mW (Ta) | ambalare | Tape & Reel (TR) |
| Pachet / Caz | SOT-563, SOT-666 | Alte nume | SSM6J212FE(TE85L,F SSM6J212FE(TE85LFTR SSM6J212FE(TE85LFTR-ND SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FELF SSM6J212FELFTR SSM6J212FETE85LF |
| Temperatura de Operare | 150°C (TJ) | Tipul de montare | Surface Mount |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Unlimited) | Condiții de stare fără plumb / stare RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
| Tipul FET | P-Channel | FET Feature | - |
| Tensiunea de transmisie (valorile max. | 1.5V, 4.5V | Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) | 20V |
| descriere detaliata | P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 | Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | De la 35,00 USD taxa de transport de bază depinde de zonă și de țară. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | De la 35,00 USD taxa de transport de bază depinde de zonă și de țară. |
| UPS | www.UPS.com | De la 35,00 USD taxa de transport de bază depinde de zonă și de țară. |
| TNT | www.TNT.com | De la 35,00 USD taxa de transport de bază depinde de zonă și de țară. |
