Rectificatoare SiC

Diodele Schottky structurate din carbură rapidă de siliciu STMicroelectronics

Comutarea cu diode Schottky structurate din carbură de siliciu STMicroelectronics permite proiectanților să atingă un nivel mai ridicat de eficiență și densitate de putere. Acoperind curentele de curent de la 2 A la 40 A, familiile de diode SiC de 650 V și 1200 V de la ST includ dispozitive AEC-Q101 calificate pentru autovehicule, precum și dispozitive AEC-Q101 calificate pentru automobile în DPAK HV (înaltă tensiune) și D²PAK, sau prin- găuri TO-220AC și pachete TO-247LL (lung-plumb).

Gama ST de diode de 1200 V carbure de siliciu (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) satisface nevoile proiectanților pentru eficiență superioară, greutate redusă, dimensiuni mici și caracteristici termice îmbunătățite pentru aplicații orientate spre performanță.

Oferind tensiune înainte excelentă (V redusă_F) și robustețe de ultimă generație, diodele SiC 1200 V ST oferă o libertate suplimentară pentru a obține eficiență ridicată și fiabilitate, cu un nivel de curent mai mic și, prin urmare, cu un cost mai mic, reducând totodată temperatura de operare și prelungind durata de viață a aplicației. Acestea asigură o potrivire perfectă în fiecare convertizor și convertizor în modul comutator, unde este nevoie de o densitate și o eficiență extremă de putere, cum ar fi SMPS, UPS, solar și motoare.

Acoperind curentele de la 2 A la 40 A, familia de diode SiC 1200 V ST include dispozitivele AEC-Q101 calificate pentru autovehicule, în dispozitive DPAK HV (de înaltă tensiune) și D²PAK, sau în orificiu TO Pachetele -220AC și TO-247LL (plumb lung).

SiC de 1200 V ST permite atingerea standardelor ridicate și a factorului de formă mic.